英飞凌（Infineon Technologies）是一家德国半导体制造商，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。英飞凌在全球范围内提供广泛的半导体产品，涵盖了汽车、工业、通信、消费电子和安全等多个领域。它在功率半导体、汽车电子、微控制器、安全芯片等领域具有领先地位。
英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。
英飞凌1300 V HybridPACK™ Drive碳化硅模块的工作温度可达205°C
全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。
本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。
CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。
无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的
英飞凌在 SiC 器件设计中，是如何在开关性能、耐压冗余与长期可靠性三者之间做权衡与优化？
英飞凌的顶部冷却式Q-DPAK封装为基于CoolMOS™和CoolSiC™的功率转换器在功率密度和系统效率优化方面，提供了一种极具吸引力的解决方案
该系列减少了外部元件数量、缓解了快速开关型GaN器件常见的PCB布局难题，并帮助设计师缩短了开发周期
本文通过实验对比验证了功率器件在应用设计中的关键因素，包括功率回路杂感的布局优化，栅极电阻对于关断电压尖峰的影响和RC吸收电路对于电压应力的抑制效果。