SiC MOSFET

英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。

3300V 方案可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。

第5代SiC MOSFET芯片采用三菱电机独有的沟槽栅结构，实现了业界先进水平³的低导通电阻，相比现有产品降低约25%。

本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构，实现了业界领先的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。

无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景

英飞凌在 SiC 器件设计中，是如何在开关性能、耐压冗余与长期可靠性三者之间做权衡与优化？